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主页 › 产品中心pSRAMParrallel pSRAMAlliance
​      伪静态存储器(Parrallel pSRAM)的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(F—RAM)。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能。
Alliance Memory是传统存储器产品的全球无晶圆厂制造商,产品组合包括与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3V和5V异步SRAM和同步SRAM,低功耗SRAM,ZMD低功耗SRAM,3.3V同步DRAM(SDR),移动DDR,2.5V单(DDR1),1.8V双(DDR2)以及1.5V和1.35V三倍速率(DDR3) 同步DRAM。
Density Org Part Number VCC Temp. Range Speed (ns) Packages PDF下载
64Mb 4Mx16 AS1C4M16PL 1.7V – 1.95V(1.8V) Industrial (-30 ~ +85°C) 70 FBGA(49) 暂无
32Mb 2Mx16 AS1C2M16P 2.6V – 3.3V(3V) Industrial (-40 ~ +85°C) 70 FPBGA(48) 暂无
16Mb 1Mx16 AS1C1M16PL 1.7V – 1.95V(1.8V) Industrial (-40 ~ +85°C) 70 FPBGA(48) 暂无
16Mb 1Mx16 AS1C1M16P 2.6V – 3.3V(3V) Industrial (-40 ~ +85°C) 70 FPBGA(48) 暂无
8Mb 512Kx16 AS1C512K16PL 1.7V – 1.95V(1.8V) Industrial (-30 ~ +85°C) 70 FPBGA(48) 暂无
8Mb 512Kx16 AS1C512K16P 2.6V – 3.3V (3V) Industrial (-40 ~ +85°C) 70 FPBGA(48) 暂无
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