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伪静态存储器(Parrallel pSRAM)的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(F—RAM)。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能。
安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场(Niche market)专用芯片/小型SOC芯片及整体解决方案,第一代产品涉及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片,并通过提供软硬件Turnkey solution,降低客户研发难度,缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
 
Part Name Density Org. Temp. Vcc(V) Speed Package PDF下载
EMI164NA16LM-70I 64Mb 4M x 16 C,I 2.7~3.6 60,70 48BGA 暂无
EMI164LA16LM-70I 64Mb 4M x 16 C,I 1.7~1.95 60,70 48BGA 暂无
EMI132NA16LM-70I 32Mb 2M x 16 C,I 2.7~3.3 60,70 48BGA 暂无
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EMI116NA16LM-70I 16Mb 1M x 16 C,I 2.7~3.3 60,70 48BGA 暂无
EMI116LA16LM-70I 16Mb 1M x 16 C,I 2.7~3.3 60,70 48BGA 暂无
EMI108NA16LM-70I 8Mb 512K x 16 C,I 2.7~3.3 60,70 48BGA 暂无
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