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三星正在改善1Gb MRAM寿命问题
MRAM芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质。写入速度可达到NAND闪存的数千倍,此外其制作工艺要求低,产品良品率高,可以
Everspin串口串行mram演示软件分析
MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟(300MHz)测量。
到2029年MRAM收入将增长170倍
一份新市场报告预计,从2018年到2029年,独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍,达到近40亿美元的收入。下一代内存技术的增长将主要由取代效率较低的内存技术(例如NOR闪存和SRAM)推动。
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