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MRAM芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质。写入速度可达到NAND闪存的数千倍，此外其制作工艺要求低，产品良品率高，可以

MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟（300MHz）测量。

一份新市场报告预计，从2018年到2029年，独立MRAM和STT-MRAM的收入将增长170倍，达到近40亿美元的收入。下一代内存技术的增长将主要由取代效率较低的内存技术（例如NOR闪存和SRAM）推动。

STT-MRAM是具有磁隧道结（MTJ）存储器单元的单晶体管架构。它利用电子自旋的磁性在芯片中提供非挥发性特性。写入和读取功能在MTJ单元中共享相同的并行路径。

本文将帮助工程师了解如何使Xilinx FPGA存储器控制器与持久性ST-DDR4存储器进行通信。

MR4A16B是一款3 3V、并行I O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。

2020春节放假通知 2019-12-24

一年一度的农历春节即将来临之际，在此预祝各位新老客户和广大朋友们在新的一年里生意兴隆，工作顺利!我公司春节放假时间安排如下：2020年1

随着物联网的不断普及，各种应用产品都需要连线功能，因此推动了无线微控制器(MCU)开发商开发处理能力更高、具多种连线选项以及超低功耗的元件。

随着全球物联网、智能家居、大数据中心、便携设备等应用的快速发展，在应用成本这一块不断的被压缩，

该问题由某客户提出，发生在 STM32F407IGT6 器件上。据其工程师讲述：为了满足软件对大容量内存的需求，将软件中的部分变量从内部 SRAM

STM32F103Z6T6是一款基于CortexM-M3 32位的单片机，工作频率为72MHz，并有丰富的I O端口,内部有高达512K字节的闪存和64K字节的SRAM高速存

通过对PSRAM、sram、sdram的分析介绍，从中凸显psram的在物联网应用的优势