PSRAM俗称伪SRAM，存储内核基于DRAM颗粒设计，但对外接口逻辑区别于标准SDRAM。SDRAM需要MCU侧搭建复杂的控制逻辑，还要软件参与时序刷新；而PSRAM芯片内置硬件自动刷新电路，无需主控干预刷新
近期全球DRAM市场供需格局持续收紧，行业涨价趋势愈发明确。投行高盛最新行业预测显示，全球DRAM产品供需缺口将持续扩张，本年度缺口规模预计达5 0%，明年将进一步攀升至5 9%，较此前预估
ISSI IS64WV20488BLL作为一款成熟的16M位高速SRAM（静态随机存取存储器），凭借其出色的电气性能与兼容性，在工业控制、网络通信及嵌入式系统中得到了广泛应用。
