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MCP

MCP (Multiple Chip Package) 存储器是在一个塑料封装外壳内,垂直堆叠大小不同的各类存储器或非存储器芯片,是一种一级单封装的混合技术,用此方法节约小巧印刷电路板PCB空间。集成电路封装技术一直追随芯片的发展而进展,封装密度不断提高,从单芯片封装向多芯片封装拓展,市场化对接芯片与应用需求,兼容芯片的数量集成和功能集成,为封装领域提供出又一种不同的创新方法。 手机器件的典型划分方式包括数字基带处理器、模拟基带、存储器、射频和电源芯片。掉电数据不丢失的非易失性闪存以其电擦除、微功耗、大容量、小体积的优势,在手机存储器中获得广泛应用。每种手机都强调拥有不同于其他型号的功能,这就使它需要某种特定的存储器。日趋流行的多功能高端手机需要更大容量、更多类型高速存储器子系统的支撑。
封装集成有静态随机存取存储器(SRAM)和闪存的MCP,就是为适应2.5G、3G高端手机存储器的低功耗、高密度容量应用要求而率先发展起来的,也是闪存实现各种创新的积木块。 国际市场上,手机存储器MCP的出货量增加一倍多,厂商的收益几乎增长三倍,一些大供应商在无线存储市场出货的90%是MCP,封装技术与芯片工艺整合并进。
MCP关键技术半导体圆片后段制程技术加速发展,容许在适当的结构中,将某些、某类芯片整合在单一的一级封装内,结构上分为金字塔式和悬梁式堆叠两种,前者特点是从底层向上芯片尺寸越来越小,后者为叠层的芯片尺寸一样大。MCP日趋定制化,能给顾客提供独特的应用解决方案,比单芯片封装具有更高的效率,其重要性与日剧增,所涉及的关键工艺包括如何确保产品合格率,减薄芯片厚度,若是相同芯片的层叠组装和密集焊线等技术。

 JSC济州半导体NAND MCP 

nand mcp NAND MCP + LPDDR 容量
NAND 1.8V+ LPDDR4x 1.8V MCP

4Gb + 4Gb

4Gb + 2Gb

 
NAND 1.8V+ LPDDR2 1.2V MCP

4Gb + 4Gb

4Gb + 2Gb

2Gb + 2Gb 

2Gb + 1Gb

1Gb + 1Gb/512Mb
NAND 1.8V+ LPDDR1 1.8V MCP

4Gb + 2Gb

2Gb + 1Gb

1Gb + 512Mb

1Gb + 256Mb

 

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