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主页 › 产品中心FlashMCPNand MCPNAND MCP + LPDDR2

多芯片封装(NAND MCP)产品以基于不同存储技术工艺设计在同一基板上,卓越性的晶片堆叠技术不仅优化电路板的设计空间,还将不同存储技术产品,包括SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1,DDR2或DDR4设计在一个基板上,为应用实现更快的启动时间,更长的电池寿命和更高的可靠性,NAND MCP主流产品的组合为1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。
JSC济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的NAND MCP厂家
JSC济州半导体NAND MCP产品线主要包括NAND MCP+LPDDR4,NAND MCP+LPDDR2,NAND MCP+LPDDR1,目前NAND MCP+LPDDR2,的产品更新到4Gb + 4Gb的容量,JSC NAND MCP是由工业级的 SLC NAND Flash 和低功耗的 LPDDR 封装在一起,不仅减小体积,同时能够减少外部电路的干扰,增强 Flash 和 DDR 的通信能力,提升系统整体的性能和可靠性。应用如手机,平板,数据卡,通讯模块,物联网模块,和可穿戴产品。
Tpye Part Number NAND(Density) NAND(Bus) NAND(Type) DRAM(Density) DRAM(Bus) DRAM(Type) ECC Speed Page Size Package Type PDF下载
4Gb + 4Gb JSFCCK3YH3BBL-425 4Gb x8 SLC 4Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暂无
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2Gb + 1Gb JSFBAB3YHABBG-425 2Gb x8 SLC 1Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暂无
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