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DRAM

 
DRAM是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。
DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理,相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故,DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的,DRAM也有访问速度较慢,耗电量较大的缺点。
与大部分的随机存取存储器(RAM)一样,由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失,因此它属于一种易失性存储器(volatile memory)设备。

 JSC济州半导体Low Power DRAM 

Low Power DRAM 容量
LPSDR 512Mb

 

LPDDR 128Mb 256Mb 512Mb 1Gb 2Gb  
LPDDR2 1Gb 2Gb 4Gb  
LPDDR4x 4Gb 8Gb 10Gb  
KGD(PGD) 64Mb

128Mb

256Mb

512Mb 1Gb 2Gb


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