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NV RAM

NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory),即非易失性随机访问存储器 ,是指断电后仍能保持数据的一种RAM。NVRAM的数据访问速度介于易失性存储器和常规硬盘之间。和易失性存储器相比,非易失性存储器一经写入数据,就不需要外界电力来维持其记忆。NVRAM主要有两种,分别是多层式存储(MLC, Multi Level Cell)及单层式存储(SLC, Single Level Cell)。两者读取速度差异不大,使用MLC颗粒的固态硬盘成本较使用SLC的低,但是写入速度较低、使用寿命也较短。闪存是最常见的非易失性存储器。小容量的闪存可被制作成带有USB接口的移动存储设备,亦即人们常说的“闪存盘”、“优盘”。随着生产成本的下降,将多个大容量闪存模块集成在一起,制成以闪存为存储介质的固态硬盘已成为可能。
随着移动设备、便携式设备和无线设备的迅猛发展,NVRAM也遇到了前所未有的好时机,并迅速走俏市场。日前,在多种NVRAM中,以闪存(Flash Memory)技术最为引人注目,并占据着NVRAM市场的霸主地位。尽管现在不同于闪存技术的其他NVRAM技术已经出现,并逐渐被一些厂商重视并看好,但在近几年内,闪存仍将以其强大的优势称霸NVRAM应用市场。移动市场和无线市场的强大需求为NVRAM带来了市场机会,同时也对NVRAM提出了更高的要求,更快的速度、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗
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