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伪静态存储器(Parrallel pSRAM)的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(F—RAM)。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能。
华邦电子聚焦于中低容量产品,提供规格完整的串口式闪存(Serial Flash)和并行式闪存(Parallel Flash)产品以及PSRAM芯片产品,满足小尺寸封装规格,具有脚数低、体积小、成本低的特性;拓展应用于行动装置、消费电子,以及多样性之车用电子、物联网和穿戴装置等应用领域。
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256Mb 1.8V / 1.8V W958D6DBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 16Mbit x16 CRAM-ADM 暂无
256Mb 1.8V / 1.8V W968D6DAG 133MHz / 70ns -40~85℃ 16Mbit x16 CRAM 暂无
128Mb 1.8V / 1.8V W957D6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 8Mbit x16 CRAM-ADM 暂无
128Mb 1.8V / 1.8V W967D6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 8Mbit x16 CRAM 暂无
64MB 1.8V W966D6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM 暂无
64MB 1.8V W956D6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM-ADM 暂无
64MB 1.8V W956D6KBK 133MHz / 70ns -40~85℃ 4Mbit x16 CRAM-ADM 暂无
32MB 1.8V W956K6HBC 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM-ADM 暂无
32MB 1.8V W966K6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM 暂无
32MB 1.8V W966K6HBG 133MHz / 70ns -40~85℃ 2Mbit x16 CRAM 暂无
16M 1.7V--1.95V MT45W1MW16PDGA-70 70ns -40~85℃ -- 暂无
16M 1.7V--1.95V MT45W1MW16BDGB-701 70ns -40~85℃ -- 暂无
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