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伪静态存储器(Parrallel pSRAM)的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(F—RAM)。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能。
AP Memory提供以客户为中心的内存解决方案。从标准设备到完全定制的设备,提供的产品PSRAM,DSRM和供应链均受客户要求的驱动。
自成立以来,已经运送了数十亿其他存储设备,包括超过50亿KGD设备。
AP Memory总部位于台湾,并在台湾证券交易所上市。主要研发部门位于日本,美国和大中华地区。销售地点遍布全球。2017年,标准DRAM供应商Zentel Electronics成为AP Memory的一部分。产品广泛用于NBIoT终端设备,智能家居网关,智能电表,LTE Cat 1 / M调制解调器,传感器,可穿戴等.
Density Organization Part Number Data rate Voltage Temperature(°C) Commercial Temperature(°C) Industry KGD Status PDF下载
256Mb x16 ADMUX APS256 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暂无
128Mb x16 ADMUX APS128 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暂无
64Mb x16 ADMUX APS64 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暂无
32Mb x16 ADMUX APS32 333 1.8 -40~85 -40~105 Y M 暂无
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