联系我们
发送邮箱
主页 › 新闻资讯行业动态 › CYPRESS代理铁电存储器中文资料FM25V05-GTR

CYPRESS代理铁电存储器中文资料FM25V05-GTR

2021-05-17 09:36:55

赛普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性铁电存储器,采用先进铁电工艺的512Kb非易失性存储器。主要提供了151年的可靠数据保留,同时消除了由串行闪存,EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性,开销和系统级可靠性问题。并且执行类似于RAM的读取和写入操作。
 
FM25V05-GTR是串行FRAM存储器。逻辑上将存储器阵列组织为65,536×8位,并使用行业标准的串行外围设备接口(SPI)总线对其进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25V05-GTR与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的主要区别在于FRAM的优异写入性能,高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微可提供产品相关技术支持服务。
 
与串行闪存和EEPROM不同,FM25V05-GTR以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后,立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有显着的写入耐久性。FM25V05-GTR能够支持1014个读/写周期,或比EEPROM多1亿倍的写周期。
 
这些功能使FM25V05-GTR非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例子包括数据收集(可能是关键的写周期数)到要求苛刻的工业控制,在这些情况下,串行闪存或EEPROM的长写入时间可能会导致数据丢失。
 
FM25V05-GTR作为串行EEPROM或闪存的用户,可作为硬件的替代品而获得实质性好处。FM25V05-GTR使用高速SPI总线,从而增强了FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID,该ID允许主机确定制造商,产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。
 
 
引脚封装
 
记忆体架构
访问FM25V05-GTR时,用户对每个8个数据位的64K地址进行寻址。这八个数据位被串行移入或移出。使用SPI协议访问地址,该协议包括一个芯片选择(允许总线上有多个设备),一个操作码和一个2字节地址。16位的完整地址唯一地指定每个字节地址。
 
FM25V05-GTR的大多数功能要么由SPI接口控制,要么由板载电路处理。存储器操作的访问时间基本上为零,超出了串行协议所需的时间。也就是说,以SPI总线的速度读取或写入存储器。与串行闪存或EEPROM不同,由于以总线速度进行写操作,因此无需轮询设备是否处于就绪状态。到可以将新的总线事务转移到设备中时,写操作就完成了。界面部分将对此进行详细说明。
 
串行外设接口–SPI总线
FM25V05-GTR是SPI从设备,运行速度高达40MHz。该高速串行总线提供了与SPI主设备的高性能串行通信。许多常见的微控制器都具有允许直接接口的硬件SPI端口。对于不带微控制器的微控制器,使用普通端口引脚来仿真端口非常简单。FM25V05-GTR在SPI模式0和3下运行。
 
关于Cypress
 
Cypress主要针对增长速度比整体半导体行业更快的创新市场,包括汽车、工业、家庭自动化和家电、医疗产品和消费电子业务领域。向客户提供市场领先的MCU、无线 SoC、存储器、模拟 IC 和 USB 控制器的解决方案。让在快速发展的物联网领域获得了优势和横跨传统市场的业务覆盖。

本文关键词: 铁电存储器


上一篇文章: 赛普拉斯代理4Mbit串行SPI铁电存储器CY15B104Q-LHXI


深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

​更多资讯关注SRAMSUN.   www.sramsun.com         0755-66658299
展开