STT-MRAM取代DRAM

先进的SSD架构：STT-MRAM取代DRAM
随着STT-MRAM密度的增加，STT-MRAM有机会完全取代SSD架构中的DRAM（图1），从而提供更多高级功能，而只有在以DRAM速度运行的大量持久性内存中，这种能力才可能实现。
   
较小的SSD，通常使用平面FTL表，每兆字节的闪存存储需要大约1GB的ST-DDR。更大的SSD的趋势是使用多层分层表来减小DDR中保存的表大小。但是，仍然必须定期将这些表与其他控制器元数据一起写入缓存，这会使控制器的设计复杂化。这些分层解决方案的确提供了上电后恢复时间更快的附加优点，因为控制器不必等到从闪存加载整个平面表后就可以了。
 
要实现包括重复数据删除和压缩在内的高级功能，需要维护必要的表并将其存储在ST-DDR中。这些表还需要通过断电来维护，因此必须刷新到闪存，这会增加控制器设计的复杂性。

本文关键词：STT-MRAM

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