多因素造成MRAM存储器价格波动

新型存储器，尤其是嵌入式MRAM在逻辑芯片的应用是主要亮点。MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它具备静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且可以无限次地重复写入。
 
嵌入式MRAM的大规模量产已成定局。除了替代嵌入式闪存、DRAM，还会取代一部分SRAM。这种替代不仅在‘先进技术代’，而且在‘大尺寸技术代’也会发生。国内的逻辑代工企业再不跟上步伐，可能要犯历史性错误。
 
存储器市场波动的现象已经存在几十年了。存储器价格不断起伏，幅度也是非常大。全球存储市场从2017年开始走向高峰，至2019年逐渐下滑。MRAM存储器价格的这种起伏，主要是由多种因素造成，包括为了打压竞争对手的企业策略等等。
 
这一波存储器的繁荣已经有两年时间，存储器价格上升主要是大数据、云计算等领域驱动因素推动的。目前DRAM普遍降价，可能因为期货市场的无规律波动。比如前期库存过多，需要进行减仓。如果说有技术方面的影响，可能跟Intel的新型处理器推迟上市有点关联。
 
其实这种价格波动对期货市场的影响要大于制造厂商，特别是对于制造业内，一些还不能向市场提供DRAM产能的厂商，近期来看制造业市场上的这些厂商不会受到价格波动的影响。长期来看跟友商之间的价格战在所难免。然而不管价格怎么走，芯片制造业是一个周期非常长的产业，短期价格波动不应该成为影响企业决策的主要因素。


本文关键词：MRAM

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