Everspin 4Mb串行SPI MRAM智能电表应用案例

　　智能电表需持续记录用电数据，支撑能源管理体系、阶梯计价与用电分析，并常在户外恶劣环境下长期运行。因此，存储芯片一定要满足数据长期可靠保存、耐高低温、抗干扰、低耗能等要求，确保在无人维护的状况下仍能稳定工作。
 

 

 

　　磁阻随机存取存储器（MRAM）凭借独特的隧穿磁阻技术，展现出显著优势。MRAM具有无限读写次数、高速写入、低耗能及高逻辑集成度等特性，已经成为一种兼具非易失性与高性能的存储方案。和传统RAM相比，MRAM在数据保持能力、读写速度、存储密度及抗干扰能力方面表现更为出色，可用于需要持久和安全内存的广泛应用。

 

　　因此许多智能电表制造商转向采用MRAM技术，以达到无需电池备份的重要数据存储。MRAM可在极端温度范围内保证长达20年的数据保存，即便在意外断电时，数据也不会丢失，当电源恢复时，内存数据也将恢复，大大提高了系统的安全性与维护便利性。
 

 

 

　　电表公司为进一步增强智能电表的安全性，一部分供电系统还引入了动态安全机制，支持远程更新或重置安全密钥。结合MRAM自身对强磁场的检测能力，可有效预防物理篡改行为。例如，Radio and Microelectronics（RIM）公司在其RIM789三相智能电表中，便选用了Everspin 4Mb串行SPI MRAM。该智能电表已通过俄罗斯GOST 52320-2005认证，可以在严苛条件下安全稳定运行30年，具有故障自诊断，并能抵御气候、机械及电磁干扰。
 

 

　　Everspin 4Mb串行SPI MRAM在四通道模式下，凭借四个I/O接口可实现高达52MB/s的数据传输速率，读写速度甚至超过部分8位并行MRAM。其工作频率达40MHz，且具备无限的读写耐久性，不仅适用于智能电表，还可广泛部署于下一代RAID控制器、服务器事件日志、存储缓存及各类嵌入式系统的程序与数据存储中。

 

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本文关键词：MRAM,SPI MRAM

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