国产DRAM迎来进军全球市场的突破口

当前，存储芯片厂商正全力投入第三代高带宽内存（HBM3E）的生产。这类专为GPU与AI加速器设计的超高速内存，广泛用于AI训练与推理，导致服务器DRAM产能持续紧张。与此同时，谷歌、微软等科技巨头纷纷拓展基于推理的AI服务，进一步推高了服务器DRAM的需求。
 

在此趋势下，全球存储市场格局正在发生深刻变化。美光甚至关闭了已有29年历史的消费级品牌英睿达。这一举动虽为存储巨头向高附加值领域转型的战略选择，却意外为中国存储企业打开了进入全球市场的机遇之门。
 

面对价格上涨与供应短缺的双重压力，全球整机厂商开始积极拓展供应链多元性。惠普已启动对中国内存供应商的资格审查，尽管短期内未必大规模采购，但完成“资格认证”意味着中国存储企业正式进入国际主流供应链的视野。内存芯片本身具备较强的大宗商品属性，型号之间替代性高，终端用户更关注性能稳定与价格合理，而非颗粒具体来源。这为中国存储企业创造了机会：在三星、美光等巨头之外，凭借高性价比产品切入“补位”市场，逐步建立全球竞争力。
 

行业分析预计，当前供需失衡态势可能持续至2028年。在此期间，国产DRAM有望借助这一窗口，稳步扩大在全球市场中的影响力。

本文关键词：DRAM,国产DRAM
 

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