主页 › 产品中心NV RAMMRAMSerial MRAM
everspinEverspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。2006年,Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日,Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

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4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V -40℃to+85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40 ℃to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
4Mb 512Kx8 MR20H40CDFR 8-DFN sf 3.3V -40℃to+85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
256Kb 32Kx8 MR25H256CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
256Kb 32Kx8 MR25H256MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
256Kb 32Kx8 MR25H256CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
256Kb 32Kx8 MR25H256MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
128Kb 16Kx8 MR25H128ACDF 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
128Kb 16Kx8 MR25H128ACDFR 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
128Kb 16Kx8 MR25H128APDF 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
128Kb 16Kx8 MR25H128APDFR 8-DFN sf 3.3v -40 ℃to +85℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDF 8-DFN sf 3.3v -40℃ to +125℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
128Kb 16Kx8 MR25H128AMDFR 8-DFN sf 3.3v -40℃ to +125℃ 570 4,000 1,140 4,000 暂无
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