联系我们
发送邮箱
主页 › 新闻资讯公司公告 › MRAM走到转折点,存储产业变革即将到来?

MRAM走到转折点,存储产业变革即将到来?

2018-01-15 14:35:44

据报道,磁性随机存取内存(MRAM)将在本年达到一个新的转折点。Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片,同时他们已经将这款寿命长、非易失性的内存芯片生产提上议程。 Everspin的ST-MRAM能够提供长期的记忆能力,与普通的NAND闪存技术相比,ST-MRAM能够减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性。
    
ST-MRAM新芯片采用的是一个兼容DDR4的接口。Everspin表示,供应商可以凭借持久的记忆技术设计企业级SSD或对现有的储存产品进行改善。
    
据了解,ST-MARAM的密度要比Everspin旗下现有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin表示,从Global Foundries的40nm工艺到foundry 28nm工艺的转变是开发这种千兆级芯片的关键点,此外它还展示了公司垂直磁性隧道结(pMTJ)的可扩展性。
  
首批配备Everspin全新千兆MRAM芯片的产品之一将来自Smart Modular公司。该公司计划发布一款NVMe PCIe硬盘,它的重量和长度都将减半,其将用于元数据缓存和储存加速应用。Smart Modular表示,该产品单元在4K随机读写测试中能够达到1500K IOPS。
  
早在20多年前,由于MRAM具有不易挥发的特性,被视为取代NAND闪存的潜在高性能产品。不过,从产品容量的角度来说,该技术暂时还无法进入市场参与竞争。
    
MRAM与快闪记忆体不同,它是使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式,在性能上MRAM有与SRAM不分上下的高速读写能力,以及具备Flash不挥发性的特性,在Cell面积上也和DRAM比例相近,而重复读写次数和DRAM、SRAM相同,操作电压也相似,可以说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体,目前一些公司东芝、如三星、Intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。
    
MRAM的主要优势在于其性能以及低功耗。在不久的将来,内存技术有望超越闪存甚至是DRAM,达到SRAM的水平。只要获得与闪存和DRAM相同的投资力度以及存在同样大的市场需求,MRAM也有望成为未来主流内存产品。


本文关键词:MRAM    SRAM

相关文章:硅片供不应求 中国IC供应链不稳定


深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、IPUS、lyontek、ISSI、cypress、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
更多资讯关注SRAMSUN.   www.sramsun.com         0755-66658299

展开