NOR Flash和NAND Flash性能比较

　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。


        NAND FLASH器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR FLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

 

　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，根据统计显示，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：

 

　  ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
 

　  ● NOR的读速度比NAND稍快一些。
 

　  ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　
 

       ● NAND的写入速度比NOR快很多。
 

　   ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
 

 

本文关键词：NOR FLASH NAND FLASH  FLASH  相关文章：NOR Flash和NAND Flash的定义区别

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