首页
产品中心
SRAM
pSRAM
Low Power SRAM
Serial SRAM
Async Fast SRAM
XRAM
NV RAM
MRAM
FeRAM
NV-SRAM
SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3/4 SDRAM
Mobile
Flash
Nand Flash
MCP
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
DRAM
Low Power DRAM
Microcontroller
Nand Flash Controller
MCU定制
32位MCU
8位MCU
蓝牙芯片
上海巨微
蓝牙芯片5.0
语音识别芯片
解决方案
电源管理芯片
PMIC
DIALOG
其它产品
裸片/晶圆
接口芯片
微动开关Switch
Memory
运算放大器
聚洵半导体
技术支持
案例展示
客户服务
新闻资讯
新闻动态
行业动态
公司公告
关于我们
企业简介
组织架构
联系我们
联系我们
EN
CN
最新公告
英尚微获得灵动微颁发的灵动MindSPIN有感方波电机小型合格证
英尚微电子获得上海灵动微电子 2018年最佳代理商
Vilsion Technology推出SPI接口64Mbit串口sram
中国区netsol代理商
主页 ›
新闻资讯
›
公司公告
› NOR Flash和NAND Flash的定义区别
新闻资讯
新闻动态
行业动态
公司公告
NOR Flash和NAND Flash的定义区别
2017-08-03 17:03:14
存储芯片本身就是包括
SRAM
,MRAM,PSRAM,SPI SRAM等内存种类,其中NOR FLASH和NAND FLASH是现在内存市场上两种主要的非易失闪存技术。1988年最初开发出NOR flash技术是Intel,NOR FLASH的出现完全打破了原先由EPROM和EEPROM垄断局势。
1989年,东芝公司公布了
NAND flash
结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,而且可以像磁盘一样通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,还是有相当一部分的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
例如"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"交换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的杰出之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,
这种情况下NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR FLASH是现在市场上主要的非易失闪存技术。
NOR FLASH一般只用来存储少量的代码;NOR FLASH主要应用在代码存储介质中。NOR FLASH的特点是应用简单、传输效率高、不需要专门的接口电路,它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行,不需要再把代码读到系统RAM中。
在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,能够快速地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
本文关键词:
NOR
FLASH
NAND FLASH
FLASH
相关文章:
MRAM在28nm CMOS制程进展良好
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC,
SRAM
、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(
DDR
1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
了解更多关于存储芯片知识,请关注英尚微电子:
https://www.sramsun.com
分享到:
QQ空间
新浪微博
腾讯微博
人人网
微信
我的搜狐
Facebook
一键分享
展开
收缩
2647314998
2281572285
rasmun02
Tel
13751192923