PCM和MRAM将主导新兴内存市场

相变存储器和磁性ram两种新兴的非易失性存储器类型，将在未来十年引领它们在独立存储器领域的领先地位。
 
虽然目前有多种新兴内存技术正在开发中，英特尔的相变内存称为 3D XPoint 内存或 Optane 将在 2025 年和 2030 年主导独立的新兴非易失性内存市场，这是部分原因是英特尔亏本出售内存。
 
新兴内存定义为 PCM、MRAM、ReRAM 和 FeRAM 以及其他。不包括NAND、DRAM、NOR、SRAM、EEPROM等。
 
由英特尔提供的 PCM 将在 2025 年占独立新兴内存市场的 90%，而 MRAM将排在第二位，到 2030 年仍将如此。


本文关键词：PCM,MRAM,SRAM

相关文章： 10座新晶圆厂投产

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。