MRAM存储芯片和普通RAM的区别

MRAM存储芯片是一种利用电子自旋存储信息的内存技术。MRAM有望成为通用存储器——既能达到存储级内存的密度，又具备SRAM的速度，同时兼具非易失性和低功耗特性，拥有读写次数无限、写入速度快、功耗低、面积小、泄露小、容量高、抗辐射性和逻辑芯片整合度高的特点。
 

相比MRAM存储芯片，普通RAM（随机存取存储器）是电子设备常用的临时存储介质，属于典型的易失性存储器，断电后存储数据会全部丢失。市面上主流的RAM主要分为SRAM和DRAM两类，各有适配场景与性能短板。其中SRAM读写速度极快，无需持续刷新数据，稳定性出众，但制造成本偏高、存储容量有限，多用于设备高速缓存场景。DRAM性价比更高、容量适配性强，是设备主存的主流选择，但存在电荷泄漏问题，需要不间断刷新维持数据，整体功耗与性能表现存在一定局限。
 

MRAM存储芯片是新一代磁阻式非易失性存储芯片，彻底打破了普通RAM电荷存储的原理局限。MRAM存储芯片核心依托自旋电子特性，通过铁磁性与非磁性材料构建磁隧道结（MTJ）结构存储数据。区别于传统RAM，MRAM依靠磁矩极化状态记录信息，即便设备断开电源，MTJ结构的磁化状态也能稳定保持，实现断电数据不丢失，同时规避了传统存储器电荷泄漏、频繁刷新的痛点。

本文关键词：MRAM
 

上一篇文章：VTI代理VTI7032 32Mbit低功耗SRAM

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。