psram伪静态存储器EMI132LA16LM-70I内存扩展方案

PSRAM也叫伪静态随机存储器，它对外呈现的是类SRAM的接口协议：只要给出地址、发起读或写命令，就能直接完成数据存取，完全不需要像DRAM那样依赖内存控制器进行周期性的刷新操作。这使得PSRAM在硬件连接和控制逻辑上都相当简洁。
 

以英尚代理伟凌创芯EMI推出的EMI132LA16LM-70I为例，这款psram芯片采用2M x 16的组织架构，总容量达到32Mb，工作电压稳定在2.7V~3.3V，读写速度为60~70ns，封装形式为48-ball BGA，非常适合作为MCU的外扩内存。它的内部存储单元却采用了DRAM的架构——也就是1T1C（一个晶体管加一个电容）构成一个存储单元，而传统SRAM需要6个晶体管才能实现同样的功能。正是这种“DRAM核心+SRAM接口”的混合设计，让PSRAM伪静态存储器在继承DRAM高密度、低成本优势的同时，又保留了SRAM使用方便的特点。
 

psram伪静态存储器EMI132LA16LM-70I优势

第一，高密度与低成本。由于采用了DRAM的单元结构，同样芯片面积下，PSRAM能够实现远大于SRAM的存储容量，而且单位容量的成本明显低于同等规格的SRAM。
 

第二，接口简单，易于集成。PSRAM的并行接口与SRAM几乎完全兼容，不需要额外的DRAM控制器，对于习惯使用标准并口的MCU、DSP或SoC来说，几乎可以像外挂SRAM一样直接使用，大幅降低了硬件设计和软件驱动的复杂度。
 

第三，待机功耗控制出色。PSRAM内部集成了自刷新电路，当主处理器进入睡眠或低功耗模式时，PSRAM能够自行维持数据不丢失，系统整体功耗得以显著降低。这一特性在电池供电的便携设备、物联网传感器节点等场景中尤其重要。