SIC MOSFET的重要注意事项

在选择适用于重型运输车辆和其他数兆瓦级应用的SIC MOSFET时，设计人员需要考虑几个重要因素，其中包括是否使用基于单元电池（也称为电力电子构件或子模块）的模块化解决方案。
 
过去的单元电池中使用的功率半导体器件一直是1200V到1700V的硅IGBT。与低功率应用十分相似，在单元电池级别部署1700V SIC MOSFET可以提高其功率处理能力和电气性能。1700V SIC MOSFET的开关损耗要低得多，因此可以增加开关频率并大幅缩小每块单元电池的尺寸。1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流链路电压所需的单元电池数量，最终在降低成本的同时提高系统可靠性。
 
设计人员还应评估SIC MOSFET的固有体二极管的稳健性。在施加应力前后的漏-源极导通状态电阻（RDSon）测试中，器件不应表现出明显的变化。这对于确保它们在经过数小时的恒定正向电流应力后不会降级至关重要，因为器件会传导反向电流，并在开关周期后对所有剩余能量进行换向。不同供应商供应的器件之间存在很大的差异，因此设计人员必须仔细检查SIC MOSFET测试结果。许多器件表现出至少某种程度的降级，而另一些甚至可能变得不稳定。若选择不会降级的SIC MOSFET，则无需外部反并联二极管，并可节省相关管芯成本和电源模块的空间。
 
还可能存在一些与具有不同程度潜在不一致性的体二极管性能相关的挑战，具体情况因器件而异。这可以通过使用可配置数字栅极驱动器调整SIC MOSFET的导通参数来解决。这些驱动器还可用于减轻SIC MOSFET更快开关速度的次级效应，包括噪声和电磁干扰（EMI），以及由寄生电感和过热引起的有限短路耐受时间和过压。可配置数字栅极驱动技术已成为充分发挥SiC技术能力的关键。

本文关键词：SIC MOSFET

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