用于抗辐射市场的MRAM

现代记忆依靠电子电荷来存储信息。虽然地球上设计和使用的大部分内存足以完成任务，但当系统离开我们的大气层时，显着更高水平的辐射的影响可能会对存储在太空中的数据造成严重破坏。
 
MRAM是一种非易失性存储器，可以保护数据免于断电并在空间中正常运行。Everspin及其合作伙伴在太空和易辐射环境中拥有比其他公司都多的MRAM。
 
Everspin MRAM制造商可以在后端(BEOL)FAB中提供8英寸MRAM晶圆。与多个CMOS前端(FEOL)代工厂选项配合使用能够提供分立和嵌入式MRAM。Everspin一直以这种方式为其合作伙伴生产太空级MRAM。
 
在更高级的节点上，Everspin从2017年开始交付商用MRAM（40纳米到22纳米）。定制MRAM或嵌入式MRAM设备也可以在这些节点上使用。Everspin MRAM已经过独立测试，并且显示在大于1Mrad和LET值为84MeV-cm2/mg时具有零硬错误。
 
Everspin还拥有商业内存路线图，可提供商业现货(COTS)功能，有助于提高RADHARD解决方案的效率、成本管理和长期可用性。长期路线图让设计人员有信心将MRAM设计到他们的军事和航空航天解决方案中，而不必担心因不断的产品变化而过时或重新认证。


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