Everspin代理MR20H40CDF串行MRAM替换CypressCY15B104Q铁电存储器

Everspin MRAM是面向数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚。MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MRAM，对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，是理想的存储器解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟和无限的读/写耐久性。与其他串行存储器不同，使用MR20H40CDF系列，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。Everspin代理英尚微电子支持提供样品测试及产品相关技术方案.
 
MR20H40CDF概述
MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，其存储器阵列在逻辑上组织为512Kx8，使用芯片选择(CS\)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)的四引脚接口。外设接口(SPI)总线。MRAM实现了SPI EEPROM和SPI闪存组件通用的命令子集。这允许SPI MRAM替换同一套接字中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与其他串行存储器替代品相比，SPI MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及简单、可靠的数据保留。
 
MR20H40CDF的优势
与赛普拉斯FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：
•更快的随机访问操作时间（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和数据保留（在125℃工作温度下超过20年）
•无限读/写耐久性
•无需担心磨损
•断电时自动数据保护
•有竞争力的价格
•稳定的制造供应链
 
常见引脚
MR20H40CDF是一个4Mb非易失性RAM，组织为512Kx8，由标称3.3V电源供电，并与FRAM兼容。它提供标准的8引脚Small FlagDFN（DF版本）和8引脚DFN（DC版本），它们是通用封装选项，可直接替代SPI-FRAM8引脚SOIC和8-引脚DFN封装（表1）。
 
表 1. 引脚和封装比较

特性/功能	SPI MRAM (MR20H40CDF)	SPI F-RAM (CY15B104Q)	注释
8-pin DFN外露金属焊盘	除了VSS之外不要连接任何东西	无连接	MRAM 8-pin DFN封装的Exposed Metal Pad为NC(No Connect) pad；因此，它可以浮动或连接到 VSS。 Everspin不建议在PCB上焊接MRAM DFN 外露金属焊盘
8-pin封装	8-pin DFN 8-pin DFN(Small Flag)	8-pin DFN, 8-pin SOIC	MRAM的8引脚DFN封装与F-RAM的8引脚DFN封装兼容。 SPI M-RAM也适合赛普拉斯8引脚SOIC封装

 
EVERSPIN MRAM 将提供最具成本效益的非易失性 RAM 解决方案。 MR2xH40xDF MRAM 使用更简单的 1 晶体管、1 磁隧道结单元构建。简单的 Everspin MRAM 单元可提高制造效率和可靠性。 MRAM 使用磁性隧道结技术进行非易失性存储。数据不会在高温下泄漏，并且没有磨损机制来限制该技术中的读取、写入或电源循环次数。切换 MRAM 可靠性的另一个重要方面是数据保留，防止因热感应磁化翻转引起的错误。进行了加速烘烤测试，其中在烘烤前将棋盘图案写入部件，然后读取数据。三个批次的 1500 个代表性 4-Mb 部件在 150 ℃ 2000 小时到 260 ℃ 2 小时的条件下烘烤，并且观察到所有部件的数据保留翻转为零。外推到工作温度表明数据保留寿命超过 20 年。由于磁性材料对辐射暴露的固有稳健性，MRAM 还提供抗辐射性能。 4-Mb 芯片的阿尔法粒子和中子辐射显示错误率 <0.5 FIT/Mb。


更多详情点击该链接：https://www.sramsun.com/list-180-1.html


本文关键词： MRAM  MR20H40CDF   

相关文章：Everspin代理非易失性256Kb串口mram存储器MR25H256ACDF

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。