新的串行接口DDR OPI RAM能有效改善传统随机存取记忆体的问题，并具有以下优点：
1. 更大的带宽：DDR OPI RAM以八路串行接口之规格，在200MHz Double-data-rate的速率，其数据带宽大于3Gbps。
2. 更高的容量：DDR OPI RAM容量为64M，比其他现行市面上的串行接口随机存取记忆体的记忆容量大很多。
3. 更低的成本：DDR OPI RAM採用先进的DRAM技术，有效地压缩芯片体积，故DDR OPI RAM生产成本接近DRAM成本。
4. 更小的尺寸：DDR OPI RAM的低引脚数封装与传统随机存取记忆体(RAM)相较之下，更具尺寸小、成本低等优势。
5. 应用介面简单：因为新型的设计技术，DDR OPI RAM不需要更新週期(Refresh Cycle)，与DRAM需要更新不同，故DDR OPI RAM介面较传统随机存取记忆体(RAM)更为简单。
以上优势使DDR OPI RAM成为嵌入式电脑系统的最佳记忆体选择；也因DDR OPI RAM小型化、低功耗及低成本等特点，使嵌入式电脑系统更能符合物联网、穿戴式装置的应用需求。
| Density |
Part Number |
Power Supply |
Data rate(Mbps) |
Serial I/O |
Isb |
Temprature |
Package |
PDF下载 |
| 64M |
LY68S6408 |
1.8V |
400 |
8 |
200uA |
-40~85°C |
20 QFN |
暂无 |
| 64M |
LY68L6408 |
3.3V |
266 |
8 |
200uA |
-40~85°C |
20 QFN |
暂无 |
| 64M |
LY68L6400 |
3.3V |
100 |
1 or 4 |
200uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暂无 |
| 64M |
LY68S6400 |
1.8V |
143 |
1 or 4 |
200uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暂无 |
| 32M |
LY68S3200 |
1.8V |
100 |
1 or 4 |
150uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暂无 |
| 16M |
LY68L1600 |
3.3V |
100 |
1 or 4 |
20uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暂无 |
| 16M |
LY68S1600 |
1.8V |
143 |
1 or 4 |
20uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暂无 |
