联系我们
发送邮箱
主页 › 新闻资讯公司公告 › 我国将量产首批32层三维NAND闪存芯片

我国将量产首批32层三维NAND闪存芯片

2018-04-18 11:31:22

位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台在本月11日正式进场安装,这象征着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,我国第一批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年内量产,填补我国主流存储器空白领域。
 
现在我国通用的存储器基本全部都依靠进口,国家存储器基地在去年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由一千人的团队耗费2年自主研发的芯片,这是我国在制造工艺上与国际高端水平最接近的主流芯片,这也许会让我国进入全球存储芯片第一梯队,强力提高“中国芯”在国际市场的地位。
 
据了解,国家存储器基地项目在2016年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设,总投资高达240亿美元,预计项目一期总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。
 
据悉,今年10月设备将点亮投产,预计2019年底64层闪存产品将达到爬坡量产。未来十年,紫光集团计划至少还将投资1000亿美元,相当于平均每年投入100亿美元,进一步追赶上我国在高端芯片领域与先进国家的距离。


本文关键词:NAND闪存芯片

相关文章:中国存储产业陷入两难局面



深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
 
英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
​更多资讯关注SRAMSUN.   www.sramsun.com         0755-66658299

展开