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2018年各厂商开启新计划

2018-02-27 14:16:53

从技术层面来说,三星今年的目标除了持续提升18nm制程的产出比重外,近两年来DRAM涨价带动DRAM供货商的利润高涨,同时也由于中国大陆潜在竞争者的加入,迫使三星决定展开新一波的扩产计划,将原本计划做NAND Flash的平泽厂二楼区域投入生产DRAM,一方面因为DRAM供给吃紧,另一方面由此减少未来NAND Flash的投片量,用以抑制NAND Flash的跌价速度,对此,DRAMeXchange表示,这样做对整体内存产业来说是积极向上的发展而并不是坏事。
 
此外,SK海力士去年底开始导入18nm的生产,然而,进入1Xnm世代制程难度高、转换不易,SK海力士目前仍致力于提升其18nm良率;扩厂计划则维持不变,SK海力士最快要到2019年才会在大陆无锡新建的第二座12英寸厂看到产能开出。美光在技术布局方面,台湾美光内存(原瑞晶) 17nm目前产出比重已超过9成,预计今年第二季初将完成转换,而台湾美光晶圆科技(原华亚科)计划今年中开始进行20 nm往17nm的转换,预计今年年底将有望有一半产能转往17nm生产,并于明年上半年全数导入。
 
台系厂商部分,南亚科第四季营收较前一季大幅成长26.9%,主要归功于20nm转换良率超乎预期,以及价格持续走扬带动。20nm的成本效益拉升营业利益率至38.9%,较前一季成长7个百分点。展望未来,由于该公司20nm良率继续提升,将会持续改善其成本结构,增加获利空间。
 
力晶科技方面,2017年第四季DRAM营收季持平,主要还是替晶豪科、爱普等IC设计业者代工的获利较佳,力晶本身DRAM产能转向更高毛利的产品;华邦电方面DRAM营收则下滑2.2%,主要因为DRAM产能受到NOR Flash产能压缩所导致。



本文关键词:NAND Flash  

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