联系我们
发送邮箱
主页 › 新闻资讯行业动态 › 新型非易失性存储器FRAM与MRAM的简介

新型非易失性存储器FRAM与MRAM的简介

2019-03-05 13:51:05

FRAM铁电存储器

FRAM使用铁晶体管材料(通常是氧化物),其特点是无需借助外部电场就可以永久切换电偶极子力矩(代表极性分子的极性大小)。因而,这种内存是非挥发性的。大量的铁电材料会自然形成纳米级偶极子。Celis半导体、Hynix、Macronix、英飞凌、Ramtron、三星、三洋、TI和东芝公司都在进行FRAM研究。理论上,使用量子点作为储存单元的FRAM具有潜力创造出令人难以置信的储存密度。
“我们已经在进行量产,每季出货量也达到了数百万片,但我们所针对的主要是那些需要闪存无法提供的特殊性能应用。”Ramtron公司副总裁Mike Alwais说,“这些新技术所面临的制造挑战被低估了,它其实是比看起来要困难得多。”
为了生存,Ramtron公司找到了一个小型市场以使其研发努力能够维持下去。目前,该公司提供的大部份产品直接替代SRAM被应用于安装有后备电池的数据撷取设备。Ramtron公司的最新芯片是一款1Mb的FRAM,它能够以插件方式替代类似尺寸的SRAM。该组件的设计尺寸已经缩小到0.13微米节点,
该公司对FRAM的长期成功寄予了很高的希望,甚至超过闪存。“由于它不需要使用非常薄的氧化物或高电压,我们的客户相信FRAM在先进的节点(65纳米或更小)上能够比闪存更容易缩小尺寸,”Alwais说。
嵌入式FRAM在需要低功率非挥发性内存的场合具有重要意义,它能够以一种更直接的方式嵌入于芯片中,而且具有比其它任何替代品更好的性能。

MRAM

除FRAM之外,另一种有前途的技术是MRAM。MRAM在三明治结构的磁阻中储存位,这种三明治结构包含一个固定磁层、一个氧化物磁阻和一个自由磁层。两个金属电极使自由层在两个磁极状态间进行切换。状态是透过检测阻值的变化来读取。
 
Everspin推出一款4Mb的MRAM存储器具有35奈秒的读写周期和无限长的耐久时间。该产品比闪存更快,但密度稍低。它更容易整合(在整个制程中仅需5个光罩层),不必像使用闪存那样在晶体管级进行重新设计。在设计中采用的所有其它核心技术都可以保持不变,并以相同的方式工作。”
 
MRAM比闪存更容易缩小尺寸,MRAM位单元可以缩小到65纳米节点,而且很可能可以进一步缩小。”

 本文关键词:EVERSPIN

相关文章:MRAM磁性存储器的简介

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
​更多资讯关注SRAMSUN.   www.sramsun.com         0755-66658299
 
展开