并行异步MRAM存储器S3R4016V1M可以替代MR2A16A
2026-11-04 10:21:33
随着传统存储器的机能越来越局限，新型的非易失性存储器开始出现。作为国产替代选型方向，由英尚微电子代理的NETSOL MRAM存储器，推出S3R4016V1M并行异步型号，可作为MR2A16A的pin-to-pin评估替代方案。
NETSOL S3R4016V1M属于STT-MRAM，具备MRAM存储器典型优势：近乎无限次读写耐久，断电数据不掉，数据保存周期可达10年以上，无需电池备份，省去传统NVSRAM配套电池、充电电路，简化硬件设计。S3R4016V1M型号容量4Mb，存储组织256K×16bit，封装支持44TSOP2、48FBGA，和MR2A16A保持一致，供电区间2.70-3.60V，采用SRAM兼容并行异步时序，原有PCB布局可直接评估适配，不用重新改板。
MRAM存储器S3R4016V1M典型访问速度70ns，对比MR2A16A的35ns，访问时长翻倍。不过该型号暂无车规等级版本，原车规MR2A16A（-40~125℃）项目不能直接替换，更适合工业级（-40~85℃）应用场景评估。如果您正在寻找Everspin MRAM备选方案，欢迎联系我们进行方案评估，申请样品实测。
本文关键词：MRAM存储器
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