EMI504WF16VA可PIN-TO-PIN替代富士通MB85R4M2T
2026-10-16 10:39:32
伟凌创芯（EMI）的EMI504WF16VA是一款4Mbit异步SRAM，采用标准44 TSOP2封装，与MB85R4M2T引脚兼容，可实现PIN-TO-PIN替代。EMI504WF16VA采用先进CMOS工艺与6-TR单元，完全静态操作，无需时钟与刷新，具备三态输出与字节控制（x8/x16），输入输出兼容TTL电平。
MB85R4M2T为4Mbit容量、256K×16组织、44引脚TSOP封装。EMI504WF16VA的容量与组织与之相同，同为256K×16的4Mbit异步SRAM，封装为标准44 TSOP2，引脚定义与焊盘尺寸一致，原设计无需改动PCB即可原位替换；工作温度同样覆盖工业级-40~+85℃。
EMI504WF16VA提供8ns、10ns、12ns三档访问时间（型号后缀-08I/-10I/-12I），相比富士通原厂150ns的地址访问时间，读写响应明显加快，更适合对实时性敏感的缓冲、缓存类应用。EMI504WF16VA供电为1.65V-3.6V电压域。
MB85R4M2T属于非易失FeRAM，断电后数据仍能保留；EMI504WF16VA属于静态随机存取存储器（SRAM），数据保持依赖持续供电。因此：若仅用于运行期的高速随机读写、系统掉电后数据无需保留，EMI504WF16VA可直接替换；若原设计依靠它实现掉电数据保存（如数据记录、参数掉电保护），仅做引脚替换无法满足需求，可以用我们的MRAM存储芯片替换。欢迎与我们沟通，我们会结合具体场景给出合适的存储方案。
本文关键词：EMI504WF16VA
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