Everspin MRAM替代：32Mbit串行STT‑MRAM存储芯片
2026-09-08 09:50:30
串行SPI STT‑MRAM存储芯片为32Mbit密度，兼容Single/Dual/Quad SPI多种工作模式，支持SPI Mode0、Mode3；SDR最高108MHz，DDR可达54MHz，同时支持XIP原地执行读写，能够直接运行存储内程序，减少系统RAM资源占用。
SPI STT‑MRAM存储芯片提供双供电版本，3.3V型号电压区间2.70‑3.60V，1.8V版本1.71‑1.98V；工业级温区‑40℃~85℃。硬件封装提供8‑WSON、24‑FBGA两种贴片形态，适配高密度布板设计。SPI STT‑MRAM芯片存储单元基于STT‑MRAM磁阻技术，写循环可达10¹⁴次，读次数无上限，85℃条件下数据保存可达20年，无需外部ECC即可保障数据完整性。
作为Everspin MRAM替代型号评估对象，这款32Mbit SPI MRAM可用于工业控制日志缓存、仪器仪表参数存储、网络设备配置保存、物联网终端黑匣子记录等场景。替换阶段建议核对供电、SPI时序、封装引脚，完成板级读写、高低温实测再导入BOM。串行接口引脚数量少，相比并行存储可以简化PCB布局，适合新老嵌入式平台升级迭代。
本文关键词：STT‑MRAM存储芯片
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