NETSOL MRAM存储器可完全替代EVERSPIN MRAM存储器
2026-07-31 10:06:41
在工业嵌入式存储领域，EVERSPIN MRAM凭借高速读写、非易失性、超长耐久的特性，长期被广泛应用于工业控制、数据采集、智能设备等场景。但受市场供应链波动影响，EVERSPIN MRAM产品价格持续上涨，大幅增加了企业硬件采购与量产成本。为此，我司推出EVERSPIN MRAM替代方案——NETSOL MRAM存储器，可实现全参数兼容替换，性价比超高，适配各类原有应用场景。
一、NETSOL MRAM存储器适配优势
NETSOL MRAM作为英尚重磅推出的EVERSPIN MRAM替代，依托成熟的STT-MRAM技术架构，延续了磁性存储的核心优势，兼具SRAM的高速读写性能与闪存的非易失存储特性。NETSOL MRAM存储器主打高频次、快速数据存取场景，可稳定完成工业设备的数据记录、程序存储、数据备份、实时缓存等核心工作，能够直接替代传统闪存、FeRAM、nvSRAM等存储芯片，完美匹配原EVERSPIN MRAM的所有功能需求。
二、NETSOL MRAM存储器全面兼容的硬件参数配置
为满足不同设备的替换需求，NETSOL MRAM搭载多规格容量体系，覆盖1Mb至64Mb全系列型号，适配绝大多数中小大型嵌入式存储设备。EVERSPIN MRAM替代接口兼容性极强，支持SDR、DDR串行架构，兼容单线、双线、四线SPI接口，适配主流设备通信协议。供电方面支持1.8V、3.3V双电压区间，宽幅电压设计可适配复杂工业供电环境。
三、NETSOL MRAM存储器稳定可靠的工业级性能
作为EVERSPIN MRAM替代，NETSOL MRAM存储器具备顶级工业级耐久与数据保存能力，85℃高温工况下数据可稳定保存20年，读取次数无限制，写入耐久可达10¹⁴次，可长期适配高频读写作业。除此之外，NETSOL MRAM存储器无需搭配外部ECC纠错模块，简化硬件设计、降低生产成本。同时采用8WSON、8SOP、16SOP、24FBGA等通用工业封装，引脚定义标准化，多种选择替换EVERSPIN MRAM，降低替换调试成本。
作为NETSOL的中国区一级代理，
英尚致力于为客户提供性价比高、性能稳定、应用场景广的MRAM存储器，我们熟知两种品牌存储器的特性，可以做到帮客户平稳度过MRAM存储器替代期，如果您有任何需要了解的地方，欢迎您随时来电联系我们，英尚期待与您的合作。
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深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
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