采用高速CMOS技术的低功耗同步DRAM
2026-04-17 10:19:36
1、低功耗同步DRAM概述
英尚代理的钰创EM638325BK系列SDRAM是一款高速CMOS包含64兆位的同步DRAM。它是内部配置为四路512K x 32 DRAM带有同步接口(所有信号记录在时钟信号的正沿，CLK)。DRAM每个512K×32位的存储体都是有组织的如2048行乘256列乘32位。EM638325提供可编程读取或写入1、2、4、8或整页的突发长度，具有突发终止选项。DRAM自动预充电可以启用函数来提供自定时行在突发结束时启动的预充电序列。刷新功能，自动或自动刷新很容易使用。通过拥有可编程的模式寄存器，系统可以选择最最大化其性能的合适模式。这些低功耗DRAM非常适合要求高性能的应用内存带宽。
2、低功耗同步DRAM EM638325BK系列特征：
①DRAM密度：64Mb
②组织：2Mx32
③DRAM速度：200/166/143
④Vdd接口：3.3V，LVTTL
⑤DRAM封装：90球FBGA
⑥快速访问时间:5/5.4/5.4 ns
⑦快速时钟速率:200/166/143 MHz
⑧四个内部存储体(512K x 32位x 4个存储体)
⑨环境温度:0~70摄氏度
⑩4096个刷新周期/64毫秒
⑪单+3.3V±0.3V电源
⑫完全同步运行
⑬内部流水线架构
⑭突发停止功能
⑮自动刷新和自我刷新
3、低功耗同步DRAM EM638325BK系列其他型号：
①低功耗同步DRAM EM638325TS-5G
②低功耗同步DRAM EM638325TS-6G
③低功耗同步DRAM EM638325TS-7G
④低功耗同步DRAM EM638325BK-5H
⑤低功耗同步DRAM EM638325BK-6H
⑥低功耗同步DRAM EM638325BK-7H
上一篇文章：使用SPI RAM芯片扩展嵌入式存储空间
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