Everspin并行接口MRAM存储芯片

　　MRAM存储芯片（磁阻随机存取存储器）结合了SRAM的高速读写与闪存的非易失性两大特点。Everspin作为全球领先的MRAM存储芯片供应商，推出的并行接口MRAM产品——MR0D08B，正逐步成为替代传统SRAM、EEPROM、闪存以及电池供电SRAM（BBSRAM）的理想选择。

 

　　Everspin 8位/16位并行接口存储芯片与SRAM兼容，具有35/45ns访问时序和无限耐久性。数据在超过20年的时间内不会发生变化。Everspin MRAM存储芯片的低压抑制电路会在断电时自动保护数据，防止电压超出规格时写入数据。Everspin MRAM存储芯片MR0D08B是应用的理想存储器解决方案必须永久存储和快速检索关键数据和程序。MR0D08B在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商用温度(0至+70°c)。

 

　　Everspin并行接口MRAM存储芯片特征

 

　　①MR0D08B是双电源(VDDQ)1Mb x8并行接口MRAM

 

　　②MRAM存储芯片容量大小：1Mb

 

　　③MRAM存储芯片工作电压：3.3v

 

　　④I/O电压范围支持+1.65至+3.6伏的宽接口

 

　　⑤快速45 ns读/写周期

 

　　⑥断电时保留数据

 

　　⑦数据非易失性，可保留20年

 

　　⑧SRAM兼容时序

 

　　⑨无限的读写耐久性

 

　　⑩符合RoHS标准的小尺寸BGA封装

 

　　⑪MRAM存储芯片更简单、更高效的设计

 

　　⑫通过替换电池支持的SRAM提高可靠性

 

上一篇文章：Etron低功耗DDR2 SDRAM内存芯片EM68916CBQE

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