基于氮化镓Micro-LED的高速通信芯片技术
2025-11-24 09:39:30
为应对人工智能与巨量算力对“高速、低功耗、高可靠”通信的迫切需求，聚焦GaN基Micro-LED核心调制光源，由南大、复旦、厦大、吉大、南邮、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合研究团队开展的器件设计和通信系统进行技术链研发。团队成功攻克了Micro-LED效率与带宽难以协同提升的核心难题：通过创新性开发轻原子侧壁钝化技术，显著提升了器件光电效率与可靠性；并系统优化量子阱结构，在实现GHz级高带宽的同时保持了高光效。
基于此，研发出的Micro-LED芯片表现出色，带宽高达近2.2GHz，并在自由空间光通信中创造了9.06Gbps的传输速率纪录，将短距光互连的功耗显著降低至7.34pJ/bit。此项成果系统性突破了Micro-LED在高带宽与低功耗方面的技术瓶颈，为下一代高速光互连技术奠定了坚实基础。
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