英尚微推出小尺寸低功耗串行SRAM解决方案
2025-10-14 10:02:32
为满足客户对更大更高效的串口SRAM的普遍需要，英尚微扩展了公司旗下
串行SRAM产品系列，不仅仅存储量提高，串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI™）的速度也将同步提高，我们可以提供不同存储量器件，为传统意义上的串行SRAM产品提供性价比更高的替代方案，并在SRAM存储芯片中包含可选的电池备份数据切换电源电路，以便在断电时保存数据。
在目前串行SRAM芯片制造工艺演变中，嵌入式SRAM的尺寸缩小速度相对滞后逻辑区域，限制控制系统整体面积的进一步微缩，造成芯片成本下降幅度未能达到理想标准。考虑到处理器与控制系统的核心功能主要由逻辑块实现，将嵌入式SRAM从芯片中剥离，进而使用外部独立SRAM，正逐渐成为更具系统优化意义的设计思路。
英尚微电子推出的串行SRAM芯片具备小尺寸、低功耗与高性能等特点，拥有无限耐用性与零写入时间的优点，非常适用于连续传送数据、数据缓冲、实时记录、计量检验以及其他数学与数据密集型应用。产品存储量覆盖64 Kb至4 Mb，支持SPI、SDI及SQI等多种总线模式。
尽管串行SRAM在整个SRAM市场上仍属于细分市场，但在空间受限、强调低功耗与小封装的特定应用场景中，它始终是不可缺少的优选方案。
本文关键词：SRAM,串行SRAM
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