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netsol代理4Mb低功耗SRAM存储器S6L4008W1M

2022-09-28 14:29:20

Netsol是一家位于韩国的无厂内存半导体设计公司,目前的产品有异步快速SRAM、低功耗SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash。主要客户群是工业、商业和通信,以高速、低延迟和低功耗内存设计技术而闻名。
 
netsol器件采用6-TR单元先进的CMOS工艺技术制造,专为低功率电路技术而设计,S6L4008W1M SRAM是一款容量为4Mb的高速SRAM,位宽8*512K。适用于低数据保持电流的电池备份应用。

S6L4008W1M快速访问时间为45、55、最大70ns,待机电流2A,最大10A。宽范围或单5.0V电源,具备完全静态操作和三态输出,无需时钟或刷新,可在商业和工业温度范围内工作。封装采用32SOP、32sTSOP1和32TSOP2。欢迎垂询代理RAMSUM.
 
low power sram低功耗SRAM存储器是作为静态随机访问存储器的一种类别,SRAM作为最重要的半导体存储器,广泛地嵌入于高性能微处理器。应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品。

 netsol 4Mb

Density Org. Part Number Voltage Option Speed Package Type
4M bit 256Kx16 S6L4016W1M 2.3~3.6v 1C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA
4M bit 256Kx16 S6L4016W2M 2.3~3.6v 2C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA
4M bit 256Kx16 S6L4016C1M 5V 1C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA
4M bit 256Kx16 S6L4016C2M 5V 2C/S 45/55/70ns 44TSOP2 48 FBGA
4M bit 512Kx8 S6L4008W1M 2.3~3.6v 1C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1
4M bit 512Kx8 S6L4008W2M 2.3~3.6v 2C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1
4M bit 512Kx8 S6L4008C1M 2.7~3.6V 1C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1
4M bit 512Kx8 S6L4008C2M 5V 1C/S 45/55/70ns 32 sTSOP1
 
 
本文关键词:SRAM netsol


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