ISSI 2Mbit高速低功耗异步SRAM芯片IS62WV12816DBLL-55TI

低功耗SRAM存储器应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品，作为静态随机访问存储器的一种类别，静态随机访问存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。
 
ISSI IS62WV12816DBLL-55TI是高速2M位静态RAM，位宽为16x128K字。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可产生高性能和低功耗的设备。通过使用芯片使能和输出使能输入提供轻松的内存扩展。有效的低写入使能控制存储器的写入和读取。数据字节允许高字节和低字节访问。
 
IS62WV12816DBLL-55TI高速存取时间为55ns,采用CMOS低功耗操作,工作电压为2.5V~3.6V,完全静态操作,无需时钟或刷新,三态输出,高字节和低字节的数据控制,工作温度范围为–40℃ to +85℃，采用JEDEC标准44引脚TSOP(TYPEII)封装。ISSI代理英尚微电子支持提供样品测试及技术支持。
 
ISSI主要为汽车，通信，数字消费，以及工业和医疗市场设计开发和销售高性能集成电路的技术领导者。主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度 DRAM。还设计和销售 NOR 闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。

本文关键词：IS62WV12816DBLL-55TI,SRAM

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