赛普拉斯代理4Mbit异步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT

SRAM是一种随机存取存储器(RAM)，它使用基于触发器的锁存电路来存储每个位。只要有电源，数据位就会保留在存储器中。与动态RAM(DRAM)不同，SRAM不必定期刷新。SRAM有两种不同的风格：同步和异步。同步SRAM是与称为时钟的外部信号同步的设备。设备只会在时钟的特定状态下将信息读取和写入内存。另一方面，异步SRAM不依赖于时钟的状态。它会在收到指令后立即开始向内存中读取或写入信息。
 
赛普拉斯为网络、汽车、消费电子、工业、医疗、航空航天和国防等各种应用提供各种高速、低功耗和可靠的SRAM。凭借多样化的异步、同步和双端口SRAM产品组合以及稳定供应和长期产品支持的承诺，赛普拉斯是首选的SRAM供应商。英尚微代理介绍一款市面上比较受欢迎的一款赛普拉斯4Mbit异步SRAM。
 
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款是高性能CMOS快速静态RAM，按16位组织为256K字。容量4Mbit的高速异步快速SRAM,访问速度10ns/15ns，低活动和待机电流，工作电压范围2.2V~3.6V，1.0-V数据保留，工作温度-40℃~ 85℃，具备TTL兼容的输入和输出，封装采用无铅44-pinTSOPII。
 
引脚配置
     
CY7C1041GN30-10ZSXIT数据写入通过将芯片使能(CE)和写入使能(WE)输入置为低电平来执行，同时在I/O0至I/O15上提供数据并在A0至A17引脚上提供地址。字节高使能(BHE)和字节低使能(BLE)输入控制对指定存储器位置的高字节和低字节的写操作。BHE通过I/O15控制I/O8，BLE通过I/O7控制I/O0。
 
数据读取是通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)输入置为低电平并在地址线上提供所需地址来执行的。读取数据可通过I/O线（I/O0到I/O15）访问。字节访问可以通过置位所需的字节使能信号（BHE或BLE）来执行，以从指定地址位置读取数据的高字节或低字节。
 
在以下事件期间，所有I/O（I/O0到I/O15）都处于高阻抗状态：
■设备被取消选择(CEHIGH)
■控制信号（OE、BLE、BHE）无效
 
借助片上硬件ECC（纠错码），赛普拉斯的SRAM可以在线执行所有与ECC相关的功能，无需干预。更高能量的外星辐射可以翻转多个相邻位，导致多位错误。ECC的单比特错误检测和纠正能力由比特交织方案补充，以防止多比特错误的发生。这些特性共同显着提高了软错误率(SER)性能，从而实现低于0.1FIT/Mbit的行业领先FIT率。


本文关键词： CY7C1041GN30-10ZSXIT

相关文章： 赛普拉斯代理4Mbit串行SPI铁电存储器CY15B104Q-LHXI

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。