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Everspin代理并口mram存储器---MR1A16A

2021-05-21 09:39:32

Everspin Technologies,Inc是设计制造MRAMSTT-MRAM的翘楚,其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。  

MR1A16A概述
MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram,组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序,具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据,以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用,MR1A16A是理想的存储器解决方案。
 
MR1A16A提供小尺寸的48引脚(BGA)封装和44引脚薄型小外形封装(TSOP Type2)。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。MR1A16A在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商用(0至+70℃),工业(-40至+85℃),扩展(-40至+105℃)和AEC-Q1001级(-40至+125℃)工作温度范围选项。Everspin MR1A16A MRAM可替换赛普拉斯FM28V202A铁电FRAM。Everspin代理英尚微提供驱动例程等技术支持。
 
 

MR1A16A引脚配置
 
特征
•35ns的快速读/写周期
•SRAM兼容时序,无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
•无限的读写耐力
•数据在超过20年的温度下保持非易失性
•一个存储器替代了系统中的Flash,SRAM,EEPROM和BBSRAM,从而实现了更简单,更高效的设计
•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案,以提高可靠性
•3.3V电源
•断电时自动数据保护
•商业,工业,扩展温度
•AEC-Q1001级选项
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装


MR1A16A型号表


Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ(pcs) / Tray
2Mb 128K x 16 MR1A16AMA35 48-BGA 3.3v Commercial 2000
2Mb 128Kx16 MR1A16AMA35 48-BGA 3.3v Commercial 2000
2Mb 128Kx16 MR1A16AMA35R 48-BGA 3.3v Commercial 2000
2Mb 128Kx16 MR1A16ACMA35 48-BGA 3.3v Industrial 2000
2Mb 128Kx16 MR1A16ACMA35R 48-BGA 3.3v Industrial 2000
2Mb 128Kx16 MR1A16AYS35 44-TSOP2 3.3v Commercial 270
2Mb 128Kx16 MR1A16AYS35R 44-TSOP2 3.3v Commercial 270
2Mb 128Kx16 MR1A16ACYS35 44-TSOP2 3.3v Industrial 270
2Mb 128Kx16 MR1A16ACYS35R 44-TSOP2 3.3v Industrial 270
2Mb 128Kx16 MR1A16AMYS35 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270
2Mb 128Kx16 MR1A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270
2Mb 128Kx16 MR1A16AVYS35 44-TSOP2 3.3v Extended 270
2Mb 128Kx16 MR1A16AVYS35R 44-TSOP2 3.3v Extended 270
2Mb 128Kx16 MR1A16AVMA35 48-BGA 3.3v Extended 2000
2Mb 128Kx16 MR1A16AVMA35R 48-BGA 3.3v Extended 2000


本文关键词:MR1A16A  


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