非易失性MRAM技术发展

切换(或场驱动)MRAM包括大部分的独立MRAM设备。然而切换MRAM的规模不足以取代大多数其他记忆。STT-MRAM产品将扩展到更高的密度，需要更低的能量写比切换MRAM。2019年已发运大部分MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。

主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存储器选项。这些铸造厂包括全球铸造厂、英特尔、三星和TSMC。

STT-MRAM有很高的性能，但不如最快的静态随机存取存储器快。然而一种被称为自旋轨道转矩(SOT)的MRAM技术有潜力匹配静态随机存储器的性能。

磁性随机存取存储器(场或自旋器件)使用一个选择晶体管作为存储单元，见下图1。MRAM单元可以具有专用晶体管，或者该晶体管可以在两个存储单元之间共享。在用于MRAM生产之前，必须在晶片上创建特定的选择晶体管设计。
 
目前MRAM软件技术正在世界各地的实验室中开发，但是随着STT-MRAM产品成本的降低，无论是嵌入式产品还是独立产品，MRAM软件技术都可能成为MRAM取代最快的静态随机存取存储器应用的手段，提供更高的非易失性存储器密度，从而支持非常低功耗的物联网和人工智能应用。

Everspin代理MRAM
 

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000

本文关键词：MRAM  STT-MRAM

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