并口MRAM芯片MR0A08BCYS35
2018-06-20 14:34:22
Everspin科技公司是从飞思卡尔半导体公司中独立出来的一家专门研发及生产MRAM存储芯片的半导体公司，公司总部位于美国，从飞思卡尔独立出来后，Everspin专注与对MRAM(即是磁性非易失性存储芯片)的开发，并在2007年推出了一款面向商业应用的MRAM产品，成为全球第一家拥有商业化MRAM产品，并引导MRAM存储芯片在全球半导体行业的发展，Everspin不断的完善及拓展MRAM存储芯片的潜能，并开始提供容量256MB嵌入式存储器ST-MRAM产品。
MR0A08BCYS35是
Everspin一款并行MRAM芯片非易失性产品，3.3V电压，由65,536字 x 16位构成，35ns的快速读/写周期，工作范围-40℃ to +85℃,在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失,用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素
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