Everspin为高性能存储系统首次推出Spin-Torque MRAM

 

Everspin领先采样64Mb DDR3 ST-MRAM;与合作伙伴合作准备设计和制造生态系统

 

亚利桑那州钱德勒市 - 2012年11月12日 - Everspin Technologies在业界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），这是一种新型高性能和超低延迟内存，预计将改变存储架构并有助于推动摩尔定律的不断演变。

 

STT-MRAM在速度、面积、写入次数和功耗方面能够达到较好的折中，因此被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的理想器件。STT-MRAM的应用前景并不局限于传统的计算机存储体系，还能够扩展到其他诸多领域，甚至有望成为通用存储器。例如，宝马公司在发动机控制模块采用MRAM以保证数据在断电情况下不丢失。鉴于磁性存储具有抗辐射的优势，空客公司在A350的飞行控制系统中采用MRAM以防止射线造成数据破坏。此外，在物联网和大数据等新兴应用领域，泛在的传感器终端需要搜集海量数据，为节省存储功耗，使用非易失性存储器势在必行，STT-MRAM以其相对优良的性能成为热门的候选器件

产品列表：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

 

本文关键词：Everspin

 

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