Everspin科技公司并行MRAM芯片MR0A16AVYS35

2018-06-07 14:52:15

全球领先的离散和嵌入式磁阻随机存取存储器开发商和制造商Everspin科技公司(MRAM)，Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器（MRAM）的公共半导体公司，其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。MRAM具有与标准随机存取存储器（RAM）类似的性能特征，同时还具有非易失性存储器的持久性，这意味着如果从系统中移除电源，其不会丢失其电荷或数据。这一特性使MRAM适用于大量嵌入式应用，如需要性能和持久性的汽车和工业应用。

Everspin生产的并行MRAM 1Mbit产品型号为MR0A16AVYS35容量：1Mb，拥有35ns的读/写周期（无写入延迟），数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素，Everspin Technologies提供MR0A16AVYS35，产品应用于工业，汽车，运输和企业存储市场。

产品型号如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文关键词：Everspin

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