4Mb 并行总线接口MRAM芯片MR2A16AVYS35

2018-05-28 15:14:47

EverSpin成立于2008年，是飞思卡尔分离出去的独立公司。公司股东由飞思卡尔和几大风险投资公司构成。公司成立时飞思卡尔把MRAM技术、相关知识产权和产品都转让给EverSpin。公司总部与晶圆厂均位于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)市。2006年Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。目前Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子等领域。

Everspin Technologies MR2A16AVYS35为262,144字 x 16位的4,194,304位MRAM。数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。MR2A16AVYS35芯片的工作电压为3.3V。高速读写访问时间对称，采用专属的低带宽连接并支持键盘、鼠标等设备的WUSB设备已经面市了一段时间了。均为35ns。当该偏移被扩展得足够宽时，该器件还可以进行全静态操作。

MR2A16AVYS35 这款MRAM器件采用符合RoHS标准的44芯TSOP II型封装。而最终的配置后的电流可达到500mA。该封装采用工业标准的中间电源和接地SRAM引脚，而近几年问世的闪存以其存储容量大、体积小、可靠性高等优点，从而可以用于采用相同的SRAM结构的现有硬件系统中。对于必须快速、永久地存储和检索关键数据和程序的应用，MR2A16AVYS35可以称理想的存储器解决方案。

Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”MRAM是一种非易失性存储技术，主要用来扩展μC/OS-II功能。在不需要电能的情况下可以保留存储内容至少十年。就无法满足系统健壮性要求，

型号如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

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