Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35

2018-05-25 14:36:44

Everspin Technologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的设计，制造领导者，其市场和应用领域的数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。凭借在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场部署的超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品，Everspin建立了世界上MRAM用户最强大，发展最快的基础。

这款4Mb MRAM的引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR2A16A目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

MR2A16A采用400-mil、44引脚薄小外形TSOP2封装，或8 mm x 8 mm 48引脚球栅阵列 (BGA) 封装（球中心距为0.75mm）。这两种封装形式均与较小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。

特性

256K x 16 MRAM存储器 (MR2A16A)

35ns的快速读/写周期

SRAM兼容时序，采用现有的SRAM控制器，而无需重新设计

出色的耐读/写能力

在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失

一个存储器即可替代系统中的闪存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，获得更简单、高效的设计

用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，无需组装电池，也了提高可靠性

3.3V电源

掉电时提供自动数据保护功能

商业、工业以及汽车级温度范围

符合RoHS标准的SRAM TSOPII封装

符合RoHS标准的SRAM BGA封装，电路板面积缩小3倍
型号表如下

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文关键词：Everspin

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2018-05-25 14:36:44

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