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Everspin 16位并口并行MRAM存储芯片MR4A16BCMA35

2018-05-21 11:33:18


Everspin MR4A16BCMA35 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期,并拥有出色耐久性。Everspin MR4A16BCMA35为1024字 x16位的16,777,216位磁阻随机存取存储器 (MRAM)。 
Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位构成。对于这款并行MRAM来说,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。并行MRAM是大多数手机 、 移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,明显改变消费者使用电子没备的方式。
 
并行MRAM特性
 
+3.3V电源
35 ns快速读/写周期
SRAM兼容时序
出色的耐读/写能力
在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失
符合RoHS标准的小外形BGA和TSOP封装
 
并行mram优势
 
一个存储器即可替代系统中的闪存、SRAM、EEPROM和BBSRAM,获得更简单、高效的设计
替代电池供电的SRAM,提高可靠性


本文关键词:并行MRAM
 
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