16Mbit异步高速SRAM静态随机存储器

在需要确定性响应的实时系统中，存储器的访问速度往往决定整机性能的上限。SRAM静态随机存储器凭借无需刷新、读写时序简单、访问延迟恒定的特性，长期扮演高速缓存与数据缓冲的关键角色。EMI推出的16Mb异步高速SRAM，以10ns访问速度与内嵌ECC设计，为高可靠、高速系统提供了一种新的国产化选择。
 

SRAM静态随机存储器容量16Mb，按1M×16组织，采用先进CMOS工艺与6-TR存储单元技术。3.3V/2.5V供电下地址访问时间最低10ns，1.8V下为12ns，输出使能访问时间低至5ns，充分满足高速逻辑与实时控制场景对读写吞吐的要求。
 

SRAM静态随机存储器内置单比特错误纠正（Single Bit Error Correction）逻辑，在读操作中自动修复单比特翻转。对于长期运行、维护困难的工业现场与高可靠系统，这一设计可显著降低软错误带来的系统风险。
 

SRAM静态随机存储器供电范围覆盖1.65V~3.6V，兼容3.3V、2.5V、1.8V三类主流电平，TTL兼容输入输出并支持三态输出，便于跨平台移植与老系统升级。SRAM静态随机存储器还支持数据保持模式，配合LB̄/UB̄字节控制（×16模式），可实现低字节与高字节的独立读写。
 

SRAM静态随机存储器采用48FBGA标准封装（6mm×8mm，0.75mm焊球间距），工作温度范围-40℃~+85℃，符合RoHS环保要求，可直接对标主流异步Fast SRAM的管脚与封装形态。

本文关键词：SRAM静态随机存储器
 

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