EMI替代ISSI SRAM IS61WV51216

在工控板卡、FPGA外设、数据采集设备设计中，IS61WV51216是ISSI经典8Mbit高速异步SRAM，广泛用于高速缓存、帧数据缓冲场景。器件采用44‑TSOP‑44封装，并行异步接口，存取时间10ns，工作电压2.4V‑3.6V，工业温度‑40℃~+85℃，具备UB/LB高低字节独立控制、三态输出特性，凭借稳定性能大量写入项目BOM。
 

伟凌创芯EMI‑SRAM产品线，可对IS61WV51216开展pin‑to‑pin兼容评估。JEDEC标准封装引脚定义对齐，存量PCB无需重新Layout，原理图基本不用改动，有效降低物料替换的改板成本与周期。
 

EMI SRAM异步存储单元采用成熟6‑TR CMOS工艺，完全静态工作，无需时钟与刷新电路，I/O电气特性、读写控制逻辑、字节选通机制对标ISSI同系列SRAM。产品覆盖多档存取速度，宽电压范围覆盖2.4‑3.6V供电区间，工业级‑40℃~+85℃温度等级，满足工业设备严苛环境要求。除IS61WV51216之外，EMI‑SRAM完整产品矩阵，支持ISSI IS61WV、IS62WV系列多款异步SRAM兼容评估，常备现货，缓解海外物料供货压力。
 

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本文关键词：IS61WV51216
 

上一篇文章：MRAM与FRAM铁电存储器的区别

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