NETSOL MRAM替代传统低功耗ISSI SRAM电池备份

　　很多存量嵌入式项目BOM都选用ISSI SRAM做外部缓存，为实现掉电保存，普遍采用SRAM搭配后备电池的架构。但如今ISSI部分型号供货不稳定，再加上电池备份方案的缺点越来越明显，很多人开始寻求ISSI SRAM替代，英尚代理的NETSOL STT‑MRAM就是一个很好的替代方向。

 

　　传统ISSI低功耗SRAM依靠六晶体管锁存数据，读写延迟优异，但本身不具备掉电保存能力。整套备份系统涉及电池、电源监控、切换电路，任何一个器件异常，都会造成参数、日志全部丢失，对于无人值守工业设备，后期维护成本也不低。

 

　　NETSOL MRAM采用1T‑MTJ存储单元，利用磁矩状态记录信息，无需电荷维持数据。并行版本封装包含44TSOP2、48FBGA，和多款ISSI低功耗SRAM封装焊盘匹配，支持pin‑to‑pin开展兼容性评估。NETSOL MRAM芯片拥有微安级休眠功耗，超高擦写耐久，省去整套电池外围电路，简化整机硬件设计。

 

　　若你正在开展MRAM存储备选评估，可以提交原ISSI器件型号、电压、温度、业务读写条件，申请方案评估与样品测试。

本文关键词：NETSOL MRAM
 

上一篇文章：中微半导低功耗SPI Nor Flash存储芯片SC25F128A

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